All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Micro and nanopores formation in A3 B5 semiconductors

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00023420" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00023420 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Micro and nanopores formation in A3 B5 semiconductors

  • Original language description

    Electrochemically etched pores are accessible also in A3 B5 semiconductors. In particular, pores in InP, GaAs and GaP have been investigated in our laboratory. More complex experimental data have been collected for InP which is suitable for the preparation almost self organized pores net. Pores multilayer containing current oriented and/or crystallographic pores was prepared and some details of the process are discussed. The GaAs and GaP demonstrate both, current oriented and crystallographic pores as well with specific differences.

  • Czech name

    Tvorba mikro a nanoporů v polovodičích A3 B5./sup

  • Czech description

    Elektrochemicky lze vytvářet pory take v polovodičích A3 B5. Konkrétně byly v naší laboratoři studovány podmínky přípravy porů v InP, GaAs a GaP. Nejúplnější soubor výsledků byl shromážděn v případě InP, který umožňuje přípravu téměř dokonale samoorganizovaných mikroporů. Byly připraveny i struktury vícenásobné, kombinující krystalografické a proudové pory. Jsou uvedeny i podrobnosti vedoucí k přípravě různě orientovaných krystalografických porů. Roněž v GaAs a GaP existují oba typy porů, ale v jejich pravidelnosti existují specifické rozdíly.

Classification

  • Type

    D - Article in proceedings

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

  • Continuities

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Others

  • Publication year

    2004

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Article name in the collection

    Proceedings of the International Conference NANO'2004

  • ISBN

    80-214-2793-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Number of pages

    6

  • Pages from-to

    176-181

  • Publisher name

    VUTIM

  • Place of publication

    Brno

  • Event location

    Brno

  • Event date

    Oct 13, 2004

  • Type of event by nationality

    WRD - Celosvětová akce

  • UT code for WoS article