Micro and nanopores formation in A3 B5 semiconductors
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00023420" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00023420 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Micro and nanopores formation in A3 B5 semiconductors
Original language description
Electrochemically etched pores are accessible also in A3 B5 semiconductors. In particular, pores in InP, GaAs and GaP have been investigated in our laboratory. More complex experimental data have been collected for InP which is suitable for the preparation almost self organized pores net. Pores multilayer containing current oriented and/or crystallographic pores was prepared and some details of the process are discussed. The GaAs and GaP demonstrate both, current oriented and crystallographic pores as well with specific differences.
Czech name
Tvorba mikro a nanoporů v polovodičích A3 B5./sup
Czech description
Elektrochemicky lze vytvářet pory take v polovodičích A3 B5. Konkrétně byly v naší laboratoři studovány podmínky přípravy porů v InP, GaAs a GaP. Nejúplnější soubor výsledků byl shromážděn v případě InP, který umožňuje přípravu téměř dokonale samoorganizovaných mikroporů. Byly připraveny i struktury vícenásobné, kombinující krystalografické a proudové pory. Jsou uvedeny i podrobnosti vedoucí k přípravě různě orientovaných krystalografických porů. Roněž v GaAs a GaP existují oba typy porů, ale v jejich pravidelnosti existují specifické rozdíly.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Proceedings of the International Conference NANO'2004
ISBN
80-214-2793-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
6
Pages from-to
176-181
Publisher name
VUTIM
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Oct 13, 2004
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—