Asymmetric CO pores etching in A3 B5 semiconductors

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F05%3A00030680" target="_blank" >RIV/67985882:_____/05:00030680 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Asymmetric CO pores etching in A3 B5 semiconductors
Original language description
In the contribution the crucial influence of the (011) planes nonequivalence on pores formation in InP and some other A3 B5 semiconductors is demonstrated. In plane (01-1) are three different, crystallographically oriented (CO) sets of pores with three different orientations. In the perpendicular plane (011) triangular crossing points are observable. Heat treatment of the InP plates containing pores produce spherical figures which we have used to decrease the dislocation density in epitaxial layers by mechanism of the ELO.
Czech name
Asymetrie krystalografických pórů v polovodičích A3 B5./sup
Czech description
V příspěvku je dokumentována naprostá neekvivalence rovin (011) z hlediska vytváření porů v InP a některých dalších sloučeninách A3 B5 . V rovině (01-1) existují tři druhy krystalograficky orientovaných porů s různou orientací. V rovině kolmé, (011) existují pouze trojúhelnikové průsečíky porů s touto rovinou. Tepelným zpracováním InP destiček jsou pory konvertovány do sférických dutin, jejichž laterálním zárustem se daří snižovat hustotu defektů prorůstajících z podložky.

Project
<a href="/en/project/ME%20697" target="_blank" >ME 697: Creation and characterization of self-organised pores in heterostructures InGap/GaAs.</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)