Annealed semi-insulating p-type InP grown by Czochralski technique with Cu in the melt

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F06%3A00040565" target="_blank" >RIV/67985882:_____/06:00040565 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Annealed semi-insulating p-type InP grown by Czochralski technique with Cu in the melt

Original language description

InP crystals were grown by Czochralski technique with admixture of Cu in the melt. Samples of as grown crystals were of n-type conductivity, and the estimated concentration of active Cu was smaller than 5x1015 cm-3. The samples were converted to p-type semi-insulating state by annealing. The annealed samples were investigated by temperature dependent Hall measurement and low-temperature Fourier transform infrared absorption. New peaks around 2100 cm-1 were interpreted as due to Cu2+ 3d internal transitions.

Czech name

Žíhaný semiizolační InP typu p připravený technikou Czochralského s Cu v tavenině

Czech description

Krystaly InP byly připraveny technikou Czochralského z taveniny s přísadou Cu. Vzorky připravených krystalů vykazovaly vodivost typu n a odhanutá koncentrace aktivní Cu byla tudíž menší než 5x1015 cm-3 Žíháním byly vzorky přeměněny na semiizolační typu p. Žíhané vzorky byly zkoumány teplotně závislým Hallovým měřením a nízkoteplotní infračervenou absorpcí s Fourierovou transformací. Nová spektrální maxima okolo 2100 cm-1 byla přiřazena vnitřním 3d přechodům Cu2+.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Volume of the periodical

21

Issue of the periodical within the volume

9

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

5

Pages from-to

1256-1260

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—