Influence of silicon nitride layers on the minority carrier diffusion length in silicon wafers

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F06%3A00083592" target="_blank" >RIV/67985882:_____/06:00083592 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Influence of silicon nitride layers on the minority carrier diffusion length in silicon wafers
Original language description
The main purpose of this work was the comparison of the silicon nitride prepared by the LP CVD and by the MW PE CVD from silane and ammonia gases with respect to the possibility of passivation c-Si surface layer. The properties of the silicon nitride films were studied by the surface photovoltage (SPV), FTIR and SIMS methods. The average value of the diffusion length of minority carriers in the Si samples with the LP CVD nitride was shorter and dependent on the location in the reactor.
Czech name
Vliv vrstev nitridu křemíku na difuzní délku minoritních nosičů v Si
Czech description
Hlavním cílem práce bylo porovnání nitridu křemíku připraveného metodami LP CVD a MW PE CVD ze silanu a čpavku s ohledem na možnost pasivace c-Si povrchových vrstev. Vlastnosti vrstev nitridu křemíku byly studovány metodami SPV, FTIR a SIMS. Průměrná hodnota difuzní délky minoritních nosičů v Si vzorcích s LP CVD nitridem byla kratší a závisela na místě v reaktoru.

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Proceedings of the International Conference Twentyfirst European Photovoltaic Solar Energy
ISBN
3-936338-20-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
3
Pages from-to
960-962
Publisher name
WIP-Renewable Energies
Place of publication
München
Event location
Dresden
Event date
Sep 4, 2006
Type of event by nationality
EUR - Evropská akce
UT code for WoS article
—

Similar results(10)