Reactive magnetron sputtering silicon nitride layer for passivation of solar cells

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU59180" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU59180 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Reactive magnetron sputtering silicon nitride layer for passivation of solar cells

Original language description

In our work we deal with SiNX and SiO2 layers deposited by means of reactive magnetron sputtering on the different crystalline silicone surfaces. The aim of work is evaluation of both surface recombination and optical properties of this layers and theircomparison with standard solar cells made by Solartec company (Czech republic). Silicon oxide layer (10 - 20 nm) created before silicon nitride layer (70 - 80nm) deposition leads to further decrease of surface defects. Reactive magnetron sputtering elimiinate high-temperature stress in deposition process of silicon nitride and silicon dioxide. In this process is possible to obtain comparatively high deposition rate (even to 10 nm/min for SiNx).

Czech name

Reaktivní magnetronové naprašování nitridu křemíku pro pasivaci solárních článků

Czech description

V naší práci vytváříme na různě upravených površích křemíkových substrátů vrstvy SiNx a SiO2. Depozice je prováděna prostřednictvím reaktivního magnetronového naprašování. Cílem je zlepšení elektrických a optických vlastností těchto vrstev na obou stranách křemíkové desky a jejich srovnání s standardními vrstvami na solárních článcích firmy Solartec s.r.o. Nejdříve je vytvořena tenká vrstva oxidu (15 nm) a na ní se deponuje vrstva SiNx (70-80 nm). Kombinace těchto vrstev přináší snížení defektu na povrrchu substrátu. Reaktivní magnetronové naprašování umožňuje depozici naprašovaných materiálů za nízkých teplot (100 C), čímž se eliminuje teplotní namáhání substrátu. Proces se také vyznačuje relativně velkou rychlostí depozice, asi 10 nm/min pro SiNx.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Proceedings of the 12th Conference STUDENT EEICT 2006 Volume 3

ISBN

80-214-3162-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

4

Pages from-to

171-174

Publisher name

Ing. Zdeněk Novotný CSc., Ondráčkova 105, Brno

Place of publication

NEUVEDEN

Event location

Brno

Event date

Apr 27, 2006

Type of event by nationality

CST - Celostátní akce

UT code for WoS article

—