InP p-type epitaxial layers grown with the addition of rare-earth elements for use in radiation detection

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F07%3A00086200" target="_blank" >RIV/67985882:_____/07:00086200 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

InP p-type epitaxial layers grown with the addition of rare-earth elements for use in radiation detection

Original language description

InP layers were grown by LPE on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with Ce, Pr, Tm, Tm2O3 and Yb additions to the growth melt. Layers were examined by LT photoluminescence spectroscopy, C-V and temperature dependent Hall measurements. The highest purifying effect has been found for Pr and Tm2O3, where the impurity concentration was decreased by up to three orders of magnitude. Ce and Yb were found as dominant acceptor impurities responsible for n to p type electrical conductivity change.

Czech name

InP epitaxní vrstvy typu p připravené za přítomnosti prvků vzácných zemin pro detekci radiačního záření

Czech description

Vrstvy InP byly připraveny epitaxním růstem z LPE na semi-izolačním InP:Fe a n-typu InP:Sn substrátu s přidáním Ce, Pr, Tm, Tm2O3 a Yb do růstové taveniny. Vrstvy byly charakterizovány pomocí nízkoteplotní FL spektroskopie, měřením C-V závislostí a teplotně závislého Hallova jevu. Nejčistší vrstvy byly připraveny s přidáním Pr a Tm2O3, kdy koncentrace nežádoucích příměsí klesla o 3 řády.Bylo ukázáno, že Ce a Yb vstupují do vrstev jako dominantní akceptorové příměsy odpovědné za konverzi vodivosti n-p.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA102%2F06%2F0153" target="_blank" >GA102/06/0153: Utilization of specific properties of rare earths in preparation of InP based radiation detector structures</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

ISSN

1454-4164

e-ISSN

—

Volume of the periodical

9

Issue of the periodical within the volume

5

Country of publishing house

RO - ROMANIA

Number of pages

6

Pages from-to

1221-1226

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—