Preparation of p-type InP layers for detection of radiation

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F05%3A00020801" target="_blank" >RIV/67985882:_____/05:00020801 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Preparation of p-type InP layers for detection of radiation

Original language description

High purity and Ce doped InP layers were grown on InP:Sn and InP:Fe substrates using liquid phase epitaxy with Tm2O3, Tm and Ce admixtures. All three types of epitaxial layers exhibit n to p type conductivity crossover at certain level RE element of RE-dioxide admixture. Ce was found to be the dominant acceptor impurity responsible for n to p conductivity type conversion in layers doped with Ce. Tm seems to be a good candidate for preparation of p-type InP based detector structures with a Schottky barier.

Czech name

Příprava InP vrstev typu p pro detekci záření

Czech description

Vysoce čisté vrstvy InP dotované Ce byly připraveny na InP:Sn a InP:Fe substrátech metodou kapalné epitaxe s příměsí Tm2O3, Tm and Ce v tavenině. Všechny vrstvy vykazují změnu typu vodivosti z n na p po překročení určité koncentrace příměsi. Ce byl detekován jako hlavní akceptorová nečistota odpovědná za změnu vodivostního typu u vrstev dotovaných Ce. Tm se jeví jako vhodný kandidát pro přípravu epitaxních vrstev InP typu p a detektorových struktur se Schottkyho bariérou.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Journal of Crystal Growth

ISSN

0022-0248

e-ISSN

—

Volume of the periodical

275

Issue of the periodical within the volume

1/2

Country of publishing house

NL - THE KINGDOM OF THE NETHERLANDS

Number of pages

5

Pages from-to

"e959"-"e963"

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—