Optical properties of InP layers prepared with the addition of Ce, Tm and Lu in the growth melt

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F05%3A00000072" target="_blank" >RIV/67985882:_____/05:00000072 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Optical properties of InP layers prepared with the addition of Ce, Tm and Lu in the growth melt

Original language description

InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and lutetium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spetroscopy andC-V measurements. Layers prepared with the addition of Ce and Tm exhibit the change of electrical conductivity from n to p, while those grown with Lu admixture remain n-type. Ce has been found to be incorporated into the InP lattice.

Czech name

Optické vlastnosti InP vrstev připravených s přidáním Ce, Tm a Lu do růstové taveniny

Czech description

Epitaxní vrstvy InP byly připraveny s přidáním ceria, tulia a lutecia do růstové taveniny. Připravené vrstvy byly vyšetřovány pomocí fotoluminescenčí spektroskopie a C-V měření. Vrstvy připravené s přidáním Ce a Tm vykazují změnu elektrické vodivosti z nna p, kdežto vrstvy připravené s přidáním Lu vykazují pouze n-typ vodivosti. Byla pozorována luminescence z vnitřních 4f hladin Ce, což dokazuje jeho zabudování do InP mříže.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Crystal Research and Technology

ISSN

0232-1300

e-ISSN

—

Volume of the periodical

40

Issue of the periodical within the volume

4/5

Country of publishing house

DE - GERMANY

Number of pages

5

Pages from-to

498-502

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—