Comparison on influence of rare earth elements and oxides on properties of InP for radiation detection
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F05%3A00021058" target="_blank" >RIV/67985882:_____/05:00021058 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Comparison on influence of rare earth elements and oxides on properties of InP for radiation detection
Original language description
We have focused on the investigation of the impact of Ce, Eu, Tm, Eu2O3 a Tm2O3 addition in LPE growth process on the properties of InP layers in the context of their application in detector structures. Temperature dependent Hall measurements have shownthat the dominant impurity resposible for p-n conductivity conversion is Ce itself. Dominant acceptors that cause the conductivity change in the case of Tm, Eu, Eu2O3 and Tm2O3 admixture remain to be identified.
Czech name
Porovnání vlivu vzácných zemin a jejich oxidů na vlastnosti InP vrstev z hlediska jejich využití při detekci záření
Czech description
Byl studován vliv přídavku Ce, Eu, Tm, Eu2O3 a Tm2O3 do růstové taveniny při epitaxním růstu z kapalné fáze na vlastnosti InP vrstev z hlediska jejich využití při konstrukci radiačních detektorů. Z měření teplotně závislého Hallova jevu vyplynulo, že dominantní příměs, která způsobuje n-p vodivostní konverzi v případě Ce je samotný prvek. U ostatních prvků příslušná příměs nebyla identifikována.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA102%2F03%2F0379" target="_blank" >GA102/03/0379: The use of rare earth elements to improve the preparation of InP- and PbI2- based semiconductor materials for detection of ionizing radiation</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
IPRM'05 Proceedings of the 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
ISBN
0-7803-8892-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
—
Publisher name
Institute of Electrical and Electronic Engineers
Place of publication
Piscataway
Event location
Glasgow
Event date
May 8, 2005
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—