Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM?

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F04%3A00100007" target="_blank" >RIV/68081731:_____/04:00100007 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM?

Original language description

Although doped regions in semiconductors have been shown to give a different secondary electron yield in low-voltage scanning electron microscopy, the basic interpretation of this contrast has been difficult. It is accepted that this contrast stem from electronic phenomenon rather than atomic number differences between differently doped regions. However, the question is whether variations in the patch fields above the sample surface, balancing variations in the inner potentials, or surface coatings and/or surface states are the mechanisms responsible for the observed contrast. The present study reports on comparative experiments of these two models and demonstrates that the image contrast can be controlled by the presence of thin-surface metallic coatings

Czech name

Proč jsou různě dopované oblasti v polovodiči viditelné v nízko-napěťovém REM?

Czech description

Ačkoli bylo ukázáno, že dopované oblasti v polovodičích vykazují v nízko-napěťovém rastrovacím elektronovém mikroskopu rozdílný výtěžek sekundárních elektronů, základní interpretace tohoto kontrastu je obtížná. Je uznáváno, že tento kontrast se opírá spíše o elektronické jevy než o rozdíly v atomovém čísle mezi různě dopovanými oblastmi. Nicméně otázkou je, zdali mechanizmy odpovědnými za pozorovaný kontrast jsou proměnnost polí nad povrchem vzorku, vyrovnávajících lokální rozdíly vnitřních potenciálů,nebo povrchová pokrytí a/nebo povrchové stavy. Tato studie informuje o srovnávacích experimentech těchto dvou modelů a demonstruje, že obrazový kontrast může být ovlivňován existencí tenkého kovového pokrytí na povrchu

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/IAA1065304" target="_blank" >IAA1065304: Multichannel spectro-microscopy with slow and Auger electrons</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2004

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN

0018-9383

e-ISSN

—

Volume of the periodical

51

Issue of the periodical within the volume

2

Country of publishing house

US - UNITED STATES

Number of pages

5

Pages from-to

288-292

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—