Dynamic Behaviour of the Dopant Contrast in LVSEM

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F07%3A00092590" target="_blank" >RIV/68081731:_____/07:00092590 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Dynamic Behaviour of the Dopant Contrast in LVSEM
Original language description
Contrast between differently doped areas in semiconductors can be observed in the secondary electron emission in a scanning electron microscope. Behaviour of the contrast in dependence on the incident electron dose and energy and on the presence of surface adlayers has been studied on different doped samples.
Czech name
Dynamické chování kontrastu dopantů v LVSEM
Czech description
Kontrast mezi rozdílně dopovanými oblastmi polovodiče může být pozorován v rastrovacím elektronové mikroskopu v signálu sekundárních elektronů. Na různě dopovaných vzorcích bylo studováno chování kontrastu v závislosti na dávce dopadajících elektronů, jejich energii a přítomnosti vrstvy nad povrchem polovodiče.

Project
<a href="/en/project/GA102%2F05%2F2327" target="_blank" >GA102/05/2327: Direct imaging of the dopant distribution in a semiconductor by means of low energy clectrons</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Proceedings of the 8th Multinational Congress on Microscopy
ISBN
978-80-239-9397-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
2
Pages from-to
95-96
Publisher name
Czechoslovak Microscopy Society
Place of publication
Prague
Event location
Prague
Event date
Jun 17, 2007
Type of event by nationality
EUR - Evropská akce
UT code for WoS article
—

Similar results(10)