All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Two-dimensional dopant profiling with low energy SEM

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F08%3A00308202" target="_blank" >RIV/68081731:_____/08:00308202 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Two-dimensional dopant profiling with low energy SEM

  • Original language description

    The scanning electron microscope has proven itself efficient for determining dopant concentrations in semiconductors. Contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Multiple studies have revealed quantitative relations between the image contrast and dopant concentration. However, intimate examination shows a low reproducibility of the contrast level for a particular local difference between the doping rates. Data about dynamic behaviour of the dopant contrastand its dependence on the status of the sample surface are presented.

  • Czech name

    Tvorba dvourozměrných profilů dopantu s níkoenergiovým SEM

  • Czech description

    Rastrovací elektronový mikroskop se osvědčil jako nástroj pro zjištění koncentrace dopantu v polovodičích. Kontrast mezi rozdílně dopovanými oblastmi je pozorován v obraze sekundárních elektronů. Kvantitativním vztahem mezi obrazovým kontrastem a koncentrací dopantu se zabývá více studií. Podrobný výzkum však ukázal nízkou reprodukovatelnost úrovně kontrastu mezi rozdílně dopovanými strukturami. V článku je ukázáno dynamické chování kontrastu dopantu a jeho závislost na stavu povrchu vzorku.

Classification

  • Type

    J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/GA102%2F05%2F2327" target="_blank" >GA102/05/2327: Direct imaging of the dopant distribution in a semiconductor by means of low energy clectrons</a><br>

  • Continuities

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Others

  • Publication year

    2008

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Name of the periodical

    Journal of Microscopy

  • ISSN

    0022-2720

  • e-ISSN

  • Volume of the periodical

    230

  • Issue of the periodical within the volume

    1

  • Country of publishing house

    GB - UNITED KINGDOM

  • Number of pages

    8

  • Pages from-to

    76-83

  • UT code for WoS article

  • EID of the result in the Scopus database