The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F06%3A00049011" target="_blank" >RIV/68081731:_____/06:00049011 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon

Original language description

4) PEEM equipped with high-pass energy filter as a surface sensitive tool was used for characterization of electron-optical contrast between differently doped areas in silicon. The native-oxide covered samples of both p- and n-type with dopant concentrations of 1015 to 1019 cm-3 were observed. In full photoemission the contrast disappears when decreasing the dopant concentration, while in filtered images the inverted contrast is preserved for all dopant concentrations. The photothreshold difference between p- and n-type (indicated by the shift of the energy spectra) increases up to 0.2 eV at the highest concentrations.

Czech name

Studium vlastností dopovaného křemíku pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie s využitím energiového filtru

Czech description

Fotoemisní elektronový mikroskop vybavený filtrem typu horní propusti představuje povrchově citlivý nástroj, který posloužil ke studiu elektronově optického kontrastu mezi různě dopovanými oblastmi v křemíku. Vzorky byly pokryty nativním oxidem, jednalose o p-typ a n-typ s koncentrací dopantů od 1015 to 1019 cm-3. Z naměřených dat vyplývá, že v nefiltrované fotoemisi kontrast postupně vymizí s klesající koncentrací dopantů, avšak ve filtrované fotoemisi dochází k inverzi kontrastu, který zůstává zachován i pro nejnižší koncentraci dopantů. Rozdíl v prahu fotoemise mezi p- a n-typem udává posun mezi příslušnými energiovými spektry a dosahuje hodnoty až 0.2 eV pro nejvyšší koncetraci dopantů.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA202%2F04%2F0281" target="_blank" >GA202/04/0281: Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation

ISBN

80-239-6285-X

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

4

Pages from-to

25-28

Publisher name

ISI AS CR

Place of publication

Brno

Event location

Skalský dvůr

Event date

May 22, 2006

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—