The origin of contrast in the imaging of doped areas in silicon by slow electrons

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F06%3A00043926" target="_blank" >RIV/68081731:_____/06:00043926 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

The origin of contrast in the imaging of doped areas in silicon by slow electrons

Original language description

The importance of high resolution imaging of dopant contrast in semiconductor structures parallels the continuous increase in the degree of their integration and complexity, and in the size of substrates. Some scanning electron microscopy modes show moderate contrast between differently doped areas, but its detailed interpretation remains questionable, in particular as regards measurement of the dopant concentration. Photoemission spectro-microscopy on silicon substrates with patterns of opposite-type dopants suggests that the p/n contrast is primarily related to local differences in the absorption of hot electrons along their trajectory toward the surface. This explanation is also expected to be valid in the interpretation of image contrasts formed bysecondary electrons or very slow backscattered electrons. Wide-field PhotoEmission Electron Microscopy (PEEM) has proved itself a fast imaging method providing large p-n contrast and the prospect of high-level resolution.

Czech name

Původ kontrastu v zobrazení dopované oblasti křemíku pomocí pomalých elektronů

Czech description

Důležitost zobrazit s vysokým rozlišením kontrast dopantů v polovodičových strukturách roste spolu s trvale se zvyšujícím se stupněm integrace a složitosti a zvětšujícími se rozměry substrátů. Některé režimy rastrovacího elektronového mikroskopu ukazujíjistý nevelký kontrast mezi různě dopovanými oblastmi, nicméně podrobná interpretace obrazu zůstává spornou, zejména pokud jde měření koncentrace dopantu. Fotoemisní spektromikroskopie na křemíkových substrátech s obrazci dopovaných oblastí opačného typunaznačuje, že p/n kontrast se primárně vztahuje k místním rozdílům v absorpci horkých elektronů podél jejich trajektorie k povrchu. Toto vysvětlení se předpokládá rovněž v případě interpretace obrazů v signále sekundárních elektronů a velmi pomalých zpětně odražených elektronů. Přímo zobrazující fotoemisní elektronová mikroskopie (PEEM) se osvědčila jako rychlá zobrazovací metoda poskytující vysoký p-n kontrast a možnosti dosažení vysokého rozlišení obrazu.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA202%2F04%2F0281" target="_blank" >GA202/04/0281: Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Volume of the periodical

100

Issue of the periodical within the volume

9

Country of publishing house

US - UNITED STATES

Number of pages

5

Pages from-to

—

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—