Microwave and hot filament chemical vapour deposition of diamond multilayers on Si and WC-Co substrates

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F07%3A00054689" target="_blank" >RIV/68081731:_____/07:00054689 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Microwave and hot filament chemical vapour deposition of diamond multilayers on Si and WC-Co substrates

Original language description

A serious problem in the use of chemical-vapour-deposited polycrystalline diamond coatings in electronics, optics as well as in cutting tools is the high surface roughness. In our work, microcrystalline and nanocrystalline diamond films with a thicknessof 0.5?5 .mu.m were deposited using microwave chemical vapour deposition (MW CVD), and with a thickness of 1?4 .mu.m by hot filament chemical vapour deposition (HF CVD). For both deposition technologies, we investigated the effect of a negative bias uponthe formation of microcrystalline and nanocrystalline diamond multilayers. In the cases of smooth Si and relief WC?Co substrate surfaces, the multilayers were found to have a "cauliflower" look. The structure and composition of deposited layers were checked by scanning electron microscopy and Raman spectroscopy.

Czech name

Chemická depozice z plynné fáze využívající mikrovlnný výboj nebo žhavené vlákno diamantových multivrstev na Si a WC-Co substrátech

Czech description

Závažným problémem použití polykrystalických diamantových povlaků připravených chemickou depozicí z plynné fáze (CVD) v elektronice, optice a na řezné nástroje představuje jejich povrchová drsnost. V naší práci byly připraveny vrstvy mikrokrystalického ananokrystalického diamantu o tloušťkách 0.5?5 .mu.m pomocí mikrovlnné CVD (MW CVD) a o tloušťkách 1?4 .mu.m metodou žhaveného vlákna (HF CVD). V obou případech jsme zkoumali vliv záporného předpětí na tvorbu multivrstev mikro a nanokrystalického diamantu. V případě substrátů typu hladký křemík a reliéfních WC-Co byly obdrženy vrstvy "květákovité" podoby. Struktura a složení vrstev byly zkoumány rastrovací elektronovou mikroskopií a Ramanovskou spektroskopií.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BL - Plasma physics and discharge through gases

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA202%2F05%2F0607" target="_blank" >GA202/05/0607: Synthesis of carbon micro- and nanostructures by plasma technologies</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Microelectronic Journal

ISSN

0026-2692

e-ISSN

—

Volume of the periodical

38

Issue of the periodical within the volume

1

Country of publishing house

NL - THE KINGDOM OF THE NETHERLANDS

Number of pages

4

Pages from-to

20-23

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—