Mechanism of poly[methyl(phenyl)silylene] e-beam degradation

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F07%3A00095350" target="_blank" >RIV/68081731:_____/07:00095350 - isvavai.cz</a>

Alternative codes found

RIV/70883521:28110/07:63505488

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Mechanism of poly[methyl(phenyl)silylene] e-beam degradation

Original language description

Poly[methyl(phenyl)silylene] (PMPSi) was selected as a typical representative of PSi. The cathodoluminescent (CL) device developed in our laboratory was used for study of PMPSi. CL spectrum of PMPSi corresponds to photoluminescence (PL) emission spectrumof the material used. UV emission decreases rapidly with the degradation, whereas visible one remains nearly stable during electron beam (EB) irradiation. The UV emission is related to the Si backbone. The visible emission is related to the existence ofweak bonds and other defects on Si backbone. Infrared (IR) absorption spectroscopy was used to identify material changes caused by the EB degradation. IR spectra of PMPSi support the idea of Si-Si bonds deformation in the main chain of the material during the EB degradation.

Czech name

Mechanismus degradace poly[methyl(phenyl)silylene] elektronovým svazkem

Czech description

Poly[methyl(phenyl)silylene] (PMPSi) byl zvolen jako typický representant PSi. Pro studium PMPSi bylo použito katodoluminiscenční (CL) zařízení vyvinuté v naší laboratoři. CL spektrum PMPSi odpovídá fotoluminiscenčnímu (PL) emisnímu spektru tohoto materiálu. UV emise se prudce snižuje s degradací, zatímco viditelná emise zůstává během ozařování elektronovým svazkem téměř beze změny. UV emise je vztahována k Si páteři, zatímco viditelná emise k existenci slabých vazeb a dalších defektů na Si páteři. Infračervená (IR) absorpční spektroskopie byla použita k nalezení změn způsobených degradací elektronovým svazkem. IR spektra PMPSi podporují myšlenku Si-Si deformace v průběhu degradace vazeb v hlavním řetězci materiálu.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/IAA100100622" target="_blank" >IAA100100622: CONJUGATED SILICON ? BASED POLYMER RESISTS FOR NANOTECHNOLOGIES</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

3rd European Weathering Symposium (XXVth Colloquium of Danubian Countries on Natural and Artificial Ageing of Polymers)

ISBN

978-3-9810472-3-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

11

Pages from-to

97-107

Publisher name

GUS

Place of publication

Pfinztal

Event location

Krakow

Event date

Sep 12, 2007

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—