: Technology of manufacturing of planar optical microstructures using DRIE and e-beam lithography
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F25%3A00644311" target="_blank" >RIV/68081731:_____/25:00644311 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Technologie výroby planárních optických mikrostruktur pomocí DRIE a elektronové litografie
Original language description
Technologie přípravy planárních optických mikrostruktur je založena na kombinaci elektronové litografie a hlubokého reaktivního iontového leptání. Jako substrát je použit křemík o průměru 100 mm a tloušťce 450 µm. Značky, přes které probíhá sesazení motivů, jsou vyleptány přes rezistovou masku do křemíkového substrátu reaktivním iontovým leptáním směsí plynu C4F8 a SF6. Motiv hlubokých binárních mikrostruktur je exponován do rezistu pomocí elektronové litografie a následně je přenesen hlubokým reaktivním iontovým leptáním do křemíkového substrátu směsí plynu C4F8 a SF6. Motiv mělkých mikrostruktur je vytvořen pomocí šedotónové elektronové litografie do vrstvy rezistu PMMA. Nepřesnost sesazení obou motivů je lepší než 50 nm.
Czech name
Technologie výroby planárních optických mikrostruktur pomocí DRIE a elektronové litografie
Czech description
Technologie přípravy planárních optických mikrostruktur je založena na kombinaci elektronové litografie a hlubokého reaktivního iontového leptání. Jako substrát je použit křemík o průměru 100 mm a tloušťce 450 µm. Značky, přes které probíhá sesazení motivů, jsou vyleptány přes rezistovou masku do křemíkového substrátu reaktivním iontovým leptáním směsí plynu C4F8 a SF6. Motiv hlubokých binárních mikrostruktur je exponován do rezistu pomocí elektronové litografie a následně je přenesen hlubokým reaktivním iontovým leptáním do křemíkového substrátu směsí plynu C4F8 a SF6. Motiv mělkých mikrostruktur je vytvořen pomocí šedotónové elektronové litografie do vrstvy rezistu PMMA. Nepřesnost sesazení obou motivů je lepší než 50 nm.
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
—
OECD FORD branch
10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TN02000020" target="_blank" >TN02000020: Centre of Advanced Electron and Photonic Optics</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2025
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Internal product ID
APL-2025-05
Numerical identification
—
Technical parameters
Technologie pro výrobu planárních optických mikrostruktur kombinující reliéfy připravené pomocí hlubokého reaktivního iontového leptání do křemíkového substrátu s hloubkou přesahující 10 µm a pomocí elektronové litografie do vrstvy rezistu s hloubkou nepřesahující 1,5 µm. Nepřesnost sesazení motivů je lepší než 50 nm.
Economical parameters
Ověřená technologie realizovaná při řešení grantu s předpokladem smluvního využití s ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Stanislav Krátký, Ph.D., kratky@isibrno.cz.
Application category by cost
—
Owner IČO
68081731
Owner name
Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
—