Experimental evidence of the minority carrier extraction at the bulk semi-insulating GaAs/As-implanted and LT MBE GaAs interface

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F02%3A00021397" target="_blank" >RIV/68378271:_____/02:00021397 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Experimental evidence of the minority carrier extraction at the bulk semi-insulating GaAs/As-implanted and LT MBE GaAs interface
Original language description
Charge transport was studied by means of I-V characteristics in different SI-GaAs-based structures. Supression of the reverse current and increase of the breakdown voltage in the system with the LT-MBE layer has been explained by a blocking of the minority carrier injection by this layer.
Czech name
Experimentální důkazy extrakce minoritních nosičů náboje v SI-GaAs a v rozhraní LT MBE GaAs
Czech description
Měřením voltampérových charakteristik byl studován transport náboje v různých strukturách založených na SI-GaAs. Potlačení závěrného proudu a zvýšení průrazného napětí v systému s vrstvou LT-MBE bylo vysvětleno blokováním minoritních nositelů náboje touto cestou.

Publication year
2002
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Proc. of the 4th Symposium on Non-Stoichiometric III-V Compounds,
ISBN
3-932392-39-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
6
Pages from-to
65-70
Publisher name
Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung
Place of publication
University of Erlangen
Event location
Asilomar Cafifornia
Event date
Sep 2, 2002
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—

Similar results(10)