Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by THz emission spectroscopy

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F03%3A00101805" target="_blank" >RIV/68378271:_____/03:00101805 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by THz emission spectroscopy
Original language description
Low-temperature grown GaAs exhibits sub-ps carrier lifetimes. Both the carrier lifetime and the carrier mobility were determined for a series of samples grown at several temperatures
Czech name
Dynamika nositelů v GaAs pěstovaném za nízkých teplot studovaná pomocí THz emisní spektroskopie
Czech description
Vrstvy GaAs pěstované za nízkých teplot vykazují subpikosekudovou dobu života nositelů. Pomocí THz emisní spektroskopie jsme určili pohyblivosti a doby života fotoexcitovaných nositelů pro sérii vzorků pěstovaných za různých teplot

Project
<a href="/en/project/LN00A032" target="_blank" >LN00A032: Structure and dynamics of complex molecular systems and biomolecules</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2003
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Proceegings of International Meeting on Infrared and Millimeter Waves /26./
ISBN
2-87649-035-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
—
Publisher name
LNCMP
Place of publication
Toulouse
Event location
Toulouse
Event date
Sep 10, 2001
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—

Similar results(10)