Si-substitutional defects on the .alfa.-Sn/Si(111)-(.sqrt. 3 x. sqrt. 3) surface
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00100708" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00100708 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Si-substitutional defects on the .alfa.-Sn/Si(111)-(.sqrt. 3 x. sqrt. 3) surface
Original language description
We use a first-principle DFT local-orbital method and analyze Si-defects on a large Sn/Si(111) surface unit-cell, corresponding to a defect concentration as low as 3.7%
Czech name
Si-substituční defekt na Sn/Si(111)-(.sqrt. 3 x .sqrt. 3) povrchu
Czech description
Použili jsme prvoprincipielní DFT metodu lokálních orbitálů a analyzovali jsme Si-poruchy v rámci velkých Sn/Si(111) povrchových základních buněk, odpovídající nízké koncentraci 3.7%
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Applied Surface Science
ISSN
0169-4332
e-ISSN
—
Volume of the periodical
234
Issue of the periodical within the volume
-
Country of publishing house
NL - THE KINGDOM OF THE NETHERLANDS
Number of pages
6
Pages from-to
286-291
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—