Photogenerated carriers in ?c-Si:H/a-Si:H multi-layers

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00107343" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00107343 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Photogenerated carriers in ?c-Si:H/a-Si:H multi-layers
Original language description
?c-Si:H/a-Si:H multi-layers were measured by time-of-flight, photo and equilibrium charge carrier extraction to investigate the density of localized states, the equilibrium carrier location, and the relaxation of photogenerated carrier density and mobility
Czech name
Fotogenerované nosiče náboje ?c-Si:H/a-Si:H multivrstvách
Czech description
?c-Si:H/a-Si:H multivrstvy byly měřeny metodou doby průletu a metodou extrakce rovnovážných a fotogenerovaných nosičů náboje pro určení lokální hustoty lokalizovaných stavů, rovnovážné koncentrace nosičů a jejich lokace, a relaxace hustoty a pohyblivostifotogenerovaných nosičů

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)