Study of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00084538" target="_blank" >RIV/68378271:_____/07:00084538 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/67985882:_____/07:00084538 RIV/67985556:_____/07:00084538
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Study of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy
Original language description
Self assembled InAs quantum dots in GaAs/GaAlAs structures were examined by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy. The studied structures were grown by metal-organic chemical vapor deposition. Quantum dots with an image of elliptical shapewere studied. Ballistic current-voltage characteristics through the quantum dot and outside the quantum dot are compared in the voltage range of 0,55 V to 2 V. In the voltage range from 0.55 V to 0.8 V examples of ballistic characteristics and their derivatives are given.
Czech name
Studium InAs kvantových teček v AlGaAs/GaAs heterostruktuře pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie
Czech description
Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie byly studovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs/GaAlAs heterostruktuře. Měřené struktury byly narosteny metalorganickou epitaxií. Byly studovány tečky s eliptickým obrazem. Jsou uvedeny příklady spektroskopických chrakteristik na a mimo kvantovou tečku v napěťovém rozsahu 0,55V až 2V. Dále jsou uvedeny příklady spektroskopických charakteristik s jejich derivacemi v napěťovém rozsahu 0,55V až 0,8V.
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA202%2F05%2F0242" target="_blank" >GA202/05/0242: Space resolved ballistic electron emission spectroscopy on individual InAs/GaAs dots embedded in AlGaAs barriers</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
e-ISSN
—
Volume of the periodical
91
Issue of the periodical within the volume
4
Country of publishing house
US - UNITED STATES
Number of pages
3
Pages from-to
"042110.1"-"042110.3"
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—