Intrinsic hydrogen-terminated diamond as ion-sensitive field effect transistor

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00085142" target="_blank" >RIV/68378271:_____/07:00085142 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Intrinsic hydrogen-terminated diamond as ion-sensitive field effect transistor

Original language description

Ion sensitive field-effect transistors (ISFET) are realized by a surface conductive channel on hydrogen-terminated diamond. The channel is gated by electrolyte solution. Hydrogen termination of diamond surface acts as a gate insulation without any additional nonconducting oxide layer. The results are compared with ISFETs which employ ion-sensitive gate oxides

Czech name

Intrinsický vodíkem zakončený diamant jako iontově citlivý polní tranzistor

Czech description

Iontově citlivé polní transistory (ISFET) jsou vytvořené povrchovým vodivým kanálem na vodíkem zakončeném diamantu. Kanál je hradlován elektrolytickým roztokem. Vodíkové zakončení povrchu funguje jako izolace hradla bez dodatečné vrstvy nevodivého oxidu.Výsledky jsou porovnány s ISFETy, které využívají iontově citlivé oxidy na hradle

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Sensors and Actuators B - Chemical

ISSN

0925-4005

e-ISSN

—

Volume of the periodical

122

Issue of the periodical within the volume

-

Country of publishing house

CH - SWITZERLAND

Number of pages

4

Pages from-to

596-599

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—