InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00306889" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00306889 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance
Original language description
Optical properties of MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs covered by thin InxGa1xAs strain reducing layer were studied by photomodulated reflectance and photoluminescence spectroscopy. The increasing In content in the strain reducing layer shifts the luminescence of quantum dots from 1.25 to 1.46 mum and narrows the photoluminescence linewidth. The strong photoluminescence red shift is caused both by the change of the band structure and the height of quantum dots which.
Czech name
Struktury s InAs/GaAs kvantovými tečkami pokryté InGaAs pnutí redukující vrstvou charakterizované fotomodulovanou reflektancí
Czech description
Optické vlastnosti InAs kvantových teček připravených metodou MOVPE překryté InxGa1xAs pnutí redukující vrstvou byly studovány fotomodulovanou reflekční a luminiscenční spektroskopií. S rostoucím obsahem In v InxGa1xAs krycí vrstvě dochází k posuvu emisní vlnové délky od 1,25 do 1,46 mum a zužování emisních linií. Velký posun emise je způsoben změnou pásové struktury a změnou výšky kvantových teček.
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials
ISSN
0921-5107
e-ISSN
—
Volume of the periodical
147
Issue of the periodical within the volume
-
Country of publishing house
CH - SWITZERLAND
Number of pages
4
Pages from-to
175-178
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—