Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00085159" target="_blank" >RIV/68378271:_____/07:00085159 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs
Original language description
We studied photoluminescence of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs strain reducing layer (SRL). These structures show strong red shift of photoluminescence maxima with increased In content in SRL
Czech name
Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček přerůstaných InGaAs připravených pomocí MOVPE
Czech description
Studovali jsme fotoluminiscenci InAs/GaAs kvantových teček zakrytých InGaAs vrstvou redukující pnutí (SRL). Tyto struktury vykazují silný červený posun maxima fotoluminiscence se vzrůstajícím obsahem In ve SRL

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)