Growth of indium phosphide bulk crystals for radiation detectors

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00308797" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00308797 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Growth of indium phosphide bulk crystals for radiation detectors
Original language description
Bulk InP single crystals were grown by Czochralski method using vertical Bridgman low pressure synthesis of polycrystalline InP. The semi-insulating state necessary for radiation detection was created by iron doping or Fe-Zn and Ti-Zn co-doping. High temperature annealing was also done. Defects were studied by X-ray methods. For characterization the Hall measurements and mass spectroscopy were used. The detection efficiency of prepared detection structures was measured.
Czech name
Růst objemových krystalů indium fosfidu pro detektory záření
Czech description
Pro růst monokrystalického InP Czochralského metodou se využívá polykrystalický InP připravený Bridgemanovu nízkotlakou vertikální syntézu. Semiizolačního stavu, který je nezbytný pro detektorové struktury, bylo dosaženo dopováním železem nebo ko-dopováním Fe-Zn a Ti-Zn. Krystaly dopované Ta byly tepelně formovány. Defekty byly stanovovány na leptaných vzorcích RTG metodou. Krystaly byly charakterizovány hmotovou spekroskopii a měřením Hallova jevu. U detektorových struktur byla měřena detekční účinnost.

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
IPRM 2008 - Proceedings of the 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference
ISBN
978-1-4244-2259-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
—
Publisher name
Institute of Electrical and Electronic Engineers
Place of publication
Piscataway
Event location
Versailles
Event date
May 25, 2008
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—

Similar results(10)