MIR PhotoVoltaic detectors based on type II p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb heterostructure with deep quantum wells at the interface (9th Int. Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices - MIOMD-IX, 7.- 11.9.2008, Freiburg, Germany)
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00317930" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00317930 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
MIR PhotoVoltaic detectors based on type II p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb heterostructure with deep quantum wells at the interface (9th Int. Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices - MIOMD-IX, 7.- 11.9.2008, Freiburg, Germany)
Original language description
We studied electroluminescent characteristics and photoelectrical properties of asymmetric type II p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb heterostructure. Intensive positive and negative electroluminescence was observed at T=300-400 K.
Czech name
MIR fotovoltaické detektory na bázi p InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb heterostruktury typu II s hlubokými kvantovými jámami na rozhraní (9. Mez. konf. o optoelektronice ve střední infračervené oblasti: materiály a součástky - MIOMD-IX, 7.-11.9.08)
Czech description
Studovali jsme elektroluminiscenční charakteristiky a fotoelektrické vlastnosti asymetrické p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb heterostruktury typu II. Pozorovali jsme intenzivní pozitivní a negativní elektorluminiscenci při teplotách 300-400 K.
Classification
Type
O - Miscellaneous
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů