Early stage of diamond growth at low temperature

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00319717" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00319717 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Early stage of diamond growth at low temperature

Original language description

We investigate the first stages of nanocrystalline diamond (NCD) thin film growth at low substrate temperature. NCD films were grown on silicon substrates by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD) for 0?300 min at a temperature of 410°C. Stagnation of the AFM roughness indicates that the low temperature NCD growth is a) delayed due to the surface contamination of the used nanodiamond powder and b) possibly dominated by the growth in the lateral direction. XPS measurements showed thatthe measured surface exhibits changes from a multi-phase composite (seeding layer) to single phase one (NCD layer).

Czech name

Počáteční stadia růstu diamantových vrstev za nizkých teplot

Czech description

Počáteční fáze růstu nanokrystalických diamantových vrstev (NCD) deponovaných za nízkých teplot (410°C) na Si substráty v mikrovlnném plazmatu byli študování pro procesní čas v intervalu 0-300 minut. Stagnace AFM drsnosti indikuje že nízkoteplotní růst je oneskoren v důsledku a) kontaminace nukleačního diamantového prášku nebo b) možné dominance laterálního růstu. XPS měření potvrzují změnu povrchu s mnoho-zložkového kompozitu (nukleací vrstva) na mono-zložkový systém (NCD vrstva).

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2008

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Diamond and Related Materials

ISSN

0925-9635

e-ISSN

—

Volume of the periodical

17

Issue of the periodical within the volume

7-10

Country of publishing house

CH - SWITZERLAND

Number of pages

4

Pages from-to

—

UT code for WoS article

000259598300042

EID of the result in the Scopus database

—