Gallium arsenide antimonite layer with graded composition for reducing strain in indium arsenide/gallium arsenide quantum dots
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00429421" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00429421 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://isdv.upv.cz/portal/pls/portal/portlets.pts.det?xprim=1715180&lan=cs" target="_blank" >http://isdv.upv.cz/portal/pls/portal/portlets.pts.det?xprim=1715180&lan=cs</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
GaAsSb vrstva s gradovaným složením redukující pnutí v InAs/GaAs kvantových tečkách
Original language description
Polovodičová epitaxní struktura s InAs/GaAs kvantovými tečkami a GaAsSb krycí a pnutí redukující vrstvou zachovávající heteropřechod I. typu mezi InAs kvantovou tečkou a GaAsSb vrstvou a emitující elektromagnetické záření na telekomunikační vlnové délce1300 nm. Zachování heteropřechodu I. typu pro tyto vlnové délky je dosaženo gradovaným složením GaAsSb vrstvy tak, aby ve GaAsSb vrstvě byla nižší koncentrace Sb (kolem 9%) bezprostředně u kvantových teček, (čímž je zabezpečena dostatečná bariéra pro díry v InAs kvantových tečkách a jejich lokalizace v kvantových tečkách), ve směru epitaxního růstu koncentrace antimonu v GaAsSb vzrůstá i nad 20% (Tím je dosaženo potřebné snížení pnutí uvnitř kvantových teček a prodloužení emitované vlnové délky). Strukturu lze realizovat se spojitou změnou koncentrace antimonu nebo stupňovitě pomocí dvou a více vrstev.
Czech name
GaAsSb vrstva s gradovaným složením redukující pnutí v InAs/GaAs kvantových tečkách
Czech description
Polovodičová epitaxní struktura s InAs/GaAs kvantovými tečkami a GaAsSb krycí a pnutí redukující vrstvou zachovávající heteropřechod I. typu mezi InAs kvantovou tečkou a GaAsSb vrstvou a emitující elektromagnetické záření na telekomunikační vlnové délce1300 nm. Zachování heteropřechodu I. typu pro tyto vlnové délky je dosaženo gradovaným složením GaAsSb vrstvy tak, aby ve GaAsSb vrstvě byla nižší koncentrace Sb (kolem 9%) bezprostředně u kvantových teček, (čímž je zabezpečena dostatečná bariéra pro díry v InAs kvantových tečkách a jejich lokalizace v kvantových tečkách), ve směru epitaxního růstu koncentrace antimonu v GaAsSb vzrůstá i nad 20% (Tím je dosaženo potřebné snížení pnutí uvnitř kvantových teček a prodloužení emitované vlnové délky). Strukturu lze realizovat se spojitou změnou koncentrace antimonu nebo stupňovitě pomocí dvou a více vrstev.
Classification
Type
P - Patent
CEP classification
BH - Optics, masers and lasers
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Others
Publication year
2013
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Patent/design ID
303855
Publisher
CZ001 -
Publisher name
Industrial Property Office
Place of publication
Prague
Publication country
CZ - CZECH REPUBLIC
Date of acceptance
Apr 17, 2013
Owner name
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence