All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Preparation of functional InGaN/GaN heterostructure on sapphire substrate

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F20%3A00540512" target="_blank" >RIV/68378271:_____/20:00540512 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    čeština

  • Original language name

    Příprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu

  • Original language description

    Ověřená technologie popisuje podrobný návod přípravy scintilačních InGaN /GaN heterostruktur vhodných pro výrobu rychlých scintilačních stínítek pro detekci elektronů. Soubor dokumentů se skládá reglementu, 26 pracovních instrukcí a protokolu o ověření technologie. Reglement obsahuje specifikaci vstupních materiálů, seznam jednotlivých technologických kroků a jejich stručný popis. Podrobný popis pracovních kroků lze nalézt v jednotlivých pracovních instrukcích. Porovnání změřených a požadovaných vlastností vzorků připravených touto technologií je uveden v protokolu o ověření technologie.

  • Czech name

    Příprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu

  • Czech description

    Ověřená technologie popisuje podrobný návod přípravy scintilačních InGaN /GaN heterostruktur vhodných pro výrobu rychlých scintilačních stínítek pro detekci elektronů. Soubor dokumentů se skládá reglementu, 26 pracovních instrukcí a protokolu o ověření technologie. Reglement obsahuje specifikaci vstupních materiálů, seznam jednotlivých technologických kroků a jejich stručný popis. Podrobný popis pracovních kroků lze nalézt v jednotlivých pracovních instrukcích. Porovnání změřených a požadovaných vlastností vzorků připravených touto technologií je uveden v protokolu o ověření technologie.

Classification

  • Type

    Z<sub>tech</sub> - Verified technology

  • CEP classification

  • OECD FORD branch

    10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Result continuities

  • Project

    Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

  • Continuities

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Others

  • Publication year

    2020

  • Confidentiality

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Data specific for result type

  • Internal product ID

    InGaN1

  • Numerical identification

    InGaN1

  • Technical parameters

    Technologii lze využít pro výrobu rychlých scintilačních stínítek např. do elektronových mikroskopů. Dosvit nejrychlejší složky pod 3 ns.

  • Economical parameters

    Na využití této technologie byl již předem podán patent 306026 a je uzavřena smlouva mezi firmou Crytur a FZU o využití výsledku.

  • Application category by cost

  • Owner IČO

    68378271

  • Owner name

    Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i

  • Owner country

    CZ - CZECH REPUBLIC

  • Usage type

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Licence fee requirement

    Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek

  • Web page