Technology of preparation of thick InGaN/GaN layers
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F24%3A00616695" target="_blank" >RIV/68378271:_____/24:00616695 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Technologie přípravy tlustých detekčních vrstev InGaN/GaN
Original language description
Ověřená technologie popisuje podrobný návod přípravy scintilačních InGaN /GaN heterostruktur vhodných pro výrobu rychlých scintilačních stínítek pro detekci elektronů. Soubor dokumentů se skládá z reglementu, 25 pracovních instrukcí a protokolu o ověření technologie. Reglement obsahuje specifikaci vstupních materiálů, seznam jednotlivých technologických kroků a jejich stručný popis. Podrobný popis pracovních kroků lze nalézt v jednotlivých pracovních instrukcích. Porovnání změřených a požadovaných vlastností vzorků připravených touto technologií je uveden v protokolu o ověření technologie.
Czech name
Technologie přípravy tlustých detekčních vrstev InGaN/GaN
Czech description
Ověřená technologie popisuje podrobný návod přípravy scintilačních InGaN /GaN heterostruktur vhodných pro výrobu rychlých scintilačních stínítek pro detekci elektronů. Soubor dokumentů se skládá z reglementu, 25 pracovních instrukcí a protokolu o ověření technologie. Reglement obsahuje specifikaci vstupních materiálů, seznam jednotlivých technologických kroků a jejich stručný popis. Podrobný popis pracovních kroků lze nalézt v jednotlivých pracovních instrukcích. Porovnání změřených a požadovaných vlastností vzorků připravených touto technologií je uveden v protokolu o ověření technologie.
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
—
OECD FORD branch
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Result continuities
Project
<a href="/en/project/FW03010298" target="_blank" >FW03010298: Breakthrough Optoelectronic Materials for Instrumentation</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Others
Publication year
2024
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Internal product ID
FW03010298-V28
Numerical identification
FW03010298-V28
Technical parameters
Struktura obsahuje 100 InGaN/GaN kvantových jam, má celkovou tloušťku aktivní oblasti 2400 nm, fotoluminiscenční i radioluminiscenční dosvit 1,4 ns
Economical parameters
Technologii lze využít pro výrobu rychlých scintilačních stínítek např. do elektronových mikroskopů, ale i pro detektory jiných ionizujících záření (alfa, rtg, gama...) např pro rentgenové zobrazování, CT, TOF CT, TOF SIMS nebo TOF PET aplikace. Na využití této technologie byl již předem podán patent 306026 a je uzavřena smlouva mezi firmou Crytur a FZU o využití výsledku.
Application category by cost
—
Owner IČO
68378271
Owner name
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
—