Assembly Influence on S-Parameters of Packaged Transistor

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F05%3A03108969" target="_blank" >RIV/68407700:21230/05:03108969 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Assembly Influence on S-Parameters of Packaged Transistor
Original language description
A proper analysis of the assembly influence on small-signal parameters of packaged transistor has been done. The S-parameters differences caused by assembly change are computed using the standard method and three new proposed methods that exploit 3-D model of the transistor package. The differences, accuracy and suitability of these methods are discussed. The results were verified experimentally for particular packaged transistor in frequency range 45 MHz - 18 GHz.
Czech name
Vliv montáže na S parametry pouzdřených tranzistorů
Czech description
Provedena analýza vlivu montáže na malosignálové parametry pouzdřeného tranzistoru. Diference způsobené změnou montáže jsou vypočítané standardní metodou a třemi nově navrženými metodami využívajícími 3 D model tranzistorového pouzdra. Diference, přesnost a vhodnost těchto metod je diskutována. Výsledky byly ověřeny experimentálně na vybraném tranzitoru ve frekvenčním pásmu 45 MHz - 18 GHz.

Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
65th ARTF Conference Digest, Automatic RF Techniques Group, Millimeter-Wave Applications
ISBN
0-7803-8858-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
5
Pages from-to
125-129
Publisher name
IEEE
Place of publication
Piscataway
Event location
Long Beach
Event date
Jun 17, 2005
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—

Similar results(10)