OCVD Carrier Lifetime in P+NN+ Diode Structures With Axial Carrier Lifetime Gradient

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F06%3A03117564" target="_blank" >RIV/68407700:21230/06:03117564 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

OCVD Carrier Lifetime in P+NN+ Diode Structures With Axial Carrier Lifetime Gradient

Original language description

The paper deals with OCVD Carrier Lifetime in P+NN+ diode structures with axial carrier lifetime gradient. Theoretically and experimentally is evaluated influence of carrier lifetime gradient on voltage courses during OCVD measurement and on the resulting carrier lifetime.

Czech name

OCVD doba života v P+NN+ diodové struktuře s axiálním gradientem doby života

Czech description

Příspěvek rozebírá OCVD dobu života v P+NN+ diodové struktuře s axiálním gradientem doby života. Je proveden teoretický rozbor vlivu gradientu center na průběh napětí při měření doby života metodou OCVD a výsledky jsou experimentálně ověřeny.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Microelectronics Journal

ISSN

0026-2692

e-ISSN

—

Volume of the periodical

2006

Issue of the periodical within the volume

37

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

6

Pages from-to

217-222

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—