Carrier Lifetime Control in Power Semiconductor Devices

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F07%3A03136261" target="_blank" >RIV/68407700:21230/07:03136261 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Carrier Lifetime Control in Power Semiconductor Devices
Original language description
The paper surveys the present technology of carrier lifetime control in power semiconductor devices by controlling recombination centre types and concentration. The correlation of lifetime with device properties such as on-state voltage drop, off-state leakage current and switching times of bipolar devices has been elucidated. Various techniques for preserving or reducing lifetime during semiconductor device fabrication are presented. Advantages, problems and some limits of individual techniques are discussed.
Czech name
Regulace doby života nosičů ve výkonových polovodičových součástkách
Czech description
Stať podává přehled o současných technologiích používaných k ovlivňování doby života nosičů ve strukturách výkonových polovodičových součástek. Je proveden rozbor rekombinačních center na charakteristiky výkonových polovodičových součástek. Dále je pak proveden rozbor jednotlivých technologií používaných k ovlivňování doby života nosičů, jejich přednosti a omezení použitelnosti.

Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Proceedings of the XIV International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices IWPSD 2007
ISBN
978-1-4244-1727-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
7
Pages from-to
755-761
Publisher name
IEEE
Place of publication
Piscataway
Event location
Mumbai
Event date
Dec 16, 2007
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—

Similar results(10)