The Influence of Technological Process on Properties of Thin Film Capacitors
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03147510" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03147510 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
The Influence of Technological Process on Properties of Thin Film Capacitors
Original language description
The work is focused on problematic of thin film dielectric layers prepared by sputtering technology. The dielectric layer made from corundum and aluminum nitride were prepared and analyzed. Dependence of properties (capacity) on parameters of technological process of deposition of layer was analyzed. Sputter deposition of dielectric layers is realized by sputtering at high frequency.
Czech name
Vliv technologického procesu na vlastnosti tenkovrstvého kondenzátoru
Czech description
příspěvek pojednává o problematice tenkovrstvých dielektrických vrstev vytvořených naprašováním. Analyzovány byly dielektrické vrstvy z korundu a aluminium nitridu. Byla sledována kapacita v závislosti na podmínkách procesu naprašování. Bylo použito vysokofrekvenčního naprašování.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Electronics Devices and Systems Proceedings
ISBN
978-80-214-3717-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
—
Publisher name
Vysoké učení technické v Brně
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Sep 10, 2008
Type of event by nationality
EUR - Evropská akce
UT code for WoS article
—