Spectral reflectometry of SiO2 thin film on the silicon wafers
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F08%3A04153439" target="_blank" >RIV/68407700:21340/08:04153439 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Spectral reflectometry of SiO2 thin film on the silicon wafers
Original language description
The method for measurement and computer modeling of reflection spectra of non-absorbing thin films on absorbing substrates in a wide spectral region was developed. The program written in the software package MATLAB enables to fit the measured reflectionspectrum with a theoretical spectral dependence of reflectance of such thin film by means of Levenberg-Marquardt least-squares method. The thin film thickness is the only fitting parameter. Excellent correspondence between the theoretical model and the measured reflection spectrum was proved for SiO2 thin film on silicon wafers in the spectral region 185 - 3100 nm. The obtained thicknesses of SiO2 thin films agree very well with that ones determined by means of spectral interferometry.
Czech name
Spektrální reflektometrie tenké vrstvy SiO2 na křemíkových deskách
Czech description
Byla vyvinuta metoda pro měření a počítačové modelování reflexních spekter neabsorbující tenké vrstvy na absorbující podložce v široké spektrální oblasti. Program napsaný v prostředí MATLAB umožňuje fitovat změřené reflexní spektrum teoretickou spektrální závislostí reflektance takové tenké vrstvy Levenberg-Marquardtovou metodou nejmenších čtverců. Tloušťka tenké vrstvy je jediný fitovací parametr. Výtečná shoda mezi teoretickým modelem a změřeným reflexním spektrem byla prokázána na tenkých vrstvách SiO2 na křemíkových deskách ve spektrální oblasti 185 - 3100 nm. Získané tloušťky tenkých vrstev SiO2 souhlasí velmi dobře s tloušťkami určenými pomocí spektrální interferometrie.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Development of Materials Science in Research and Education
ISBN
978-80-254-0864-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
2
Pages from-to
—
Publisher name
Czechoslovak Association for Crystal Growth
Place of publication
Prague
Event location
Hnanice
Event date
Sep 2, 2008
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—