All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Characterization of area sensitivity in 55 um pixellated CdTe X-ray imaging detectors

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F07%3A15142804" target="_blank" >RIV/68407700:21670/07:15142804 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Characterization of area sensitivity in 55 um pixellated CdTe X-ray imaging detectors

  • Original language description

    X-ray imaging detectors with energy resolution, based on a single photon processing CMOS readout circuit attached to a detector chip, are being developed by different groups. In order to achieve high quantum efficiency it is preferable to use high-Z semiconductor materials. However the fluorescent X-ray photons of such materials have high energies and are able to travel long distances thereby reducing both the spatial resolution and the energy resolution of the detector. In addition charge sharing in the detector and non-uniformities in both the detector and the readout electronics will affect the signal. In this work we have characterized a 1 mm thick CdTe detector with a pixel size of 55 um x 55 um, bump bonded to the MEDIPIX2 single photon processing readout chip. The area sensitivity of the detector is evaluated using a narrow X-ray beam of monoenergetic photons. From these measurements the effects of fluorescence and charge sharing can be evaluated.

  • Czech name

    Charakterizace plošné citlivosti 55 um pixelových detektorů na bázi CdTe pro rentgenové zobrazování

  • Czech description

    Energeticky citlivé rentgenové detektory postavené na principu zpracování signálu z jednotlivých fotonů v CMOS čipu připojeného k čipu senzoru jsou vyvíjeny různými skupinami. Pro dosažení vysoké detekční účinnosti jsou pro konstrukci senzorů upřednostňovány materiály s vysokým Z. Avšak fluorescenční fotony emitované těmito materiály mohou díky velkému dosahu snižovat prostorové i energetické rozlišení těchto detektorů. V této práci přinášíme charakterizaci 1 mm silného CdTE detektoru s pixely 55 um x 55 um připojeného k vyčítacímu čipu MEDIPIX2. Plošná citlivost detektoru je zde hodnocena pomocí úzkého svazku monoenergetického rentgenova záření. Z těchto měření jsou vyhodnoceny vlivy efektů fluorescence a sdílení náboje.

Classification

  • Type

    D - Article in proceedings

  • CEP classification

    BG - Nuclear, atomic and molecular physics, accelerators

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Preparation, modification and characterization of materials by energetic radiation.</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2007

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Article name in the collection

    2007 IEEE Nuclear Science Symposium & Medical Imaging Conference

  • ISBN

  • ISSN

    1082-3654

  • e-ISSN

  • Number of pages

    4

  • Pages from-to

  • Publisher name

    Omipress

  • Place of publication

    Wisconsin

  • Event location

    Hawai

  • Event date

    Oct 27, 2007

  • Type of event by nationality

    WRD - Celosvětová akce

  • UT code for WoS article