Ultraviolet photoinduced weak bonds in aryl-substituted polysilanes

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F70883521%3A28110%2F07%3A63505363" target="_blank" >RIV/70883521:28110/07:63505363 - isvavai.cz</a>

Alternative codes found

RIV/61389013:_____/07:00084092

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Ultraviolet photoinduced weak bonds in aryl-substituted polysilanes

Original language description

The susceptibility of aryl-substituted polysilylenes to photodegradation by ultraviolet ( UV) radiation is examined on the prototypical materials poly[ methyl( phenyl) silylene] ( PMPSi) and poly[( biphenyl-4-yl) methylsilylene] ( PBMSi). The main purpose of this paper is to study photoluminescence ( PL) after major degradation, predominantly in long- wavelength range 400 - 600 nm, studying the disorder, dangling bonds ( DBs) and weak bonds ( WBs) created by the degradation process. The efficiency of the WB creation in PMPSi is greater for 266 nm irradiation, supporting the notion of the suppressed exciton transport compared to the less energetical photon of 355 nm, where the WB creation is lowered due to the exciton migration to longer segments and/oralready existing defects. For PBMSi the WB creation kinetics for 355 nm degradation is similar to that of PMPSi. The 266 nm degradation results then support the model calculations of DB and WB reconstruction in the more rigid Si skeleton

Czech name

Ultrafialové fotoindukované slabé vazby v aryl - substituovaných polysilanech

Czech description

Citlivost aryl substituovaných polysilanů k fotodegradaci ultrafialovým ( UV ) zářením je zkoumána na prototypických materiálech poly[ methyl( phenyl) silylene] ( PMPSi) and poly[( biphenyl-4-yl) methylsilylene] ( PBMSi). Hlavním cílem této práce je studium fotoluminicence ( PL) po význačné degradaci v dlouhovlnné oblasti 400 - 600 nm studiem rozuspořádání, volných vazeb ( DBs) a slabých vazeb ( WBs) vytvořených degradačním procesem. Efektivnosti vytváření WB v PMPSi je větší pro ozáření při 266 nm, potvrzující představu o potlačeném pohybu excitonů ve srovnání s méně pohyblivým excitonem, vytvořeným méně energetickým fotonem 355 nm, kde vytváření WB je potlačeno migrací excitonů k delším segmetům a/nebo k již existujícím defektům. PRO PBMSi je kinetika tvorby WB pro 355 nm degradaci podobná jako u PMPSi. Degradační výsledky pro 266 nm tak podporují modelové výpočty tvorby a rekonstrukce DB a WB v rigidním Si skeletonu.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

CD - Macromolecular chemistry

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/IAA100100622" target="_blank" >IAA100100622: CONJUGATED SILICON ? BASED POLYMER RESISTS FOR NANOTECHNOLOGIES</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Journal of Physics: Condensed Matter

ISSN

0953-8984

e-ISSN

—

Volume of the periodical

19

Issue of the periodical within the volume

7

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

11

Pages from-to

7076101-7076122

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—