Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Filtry

846 (0,074s)

Projekt

GaN for Advanced Power Applications (8A21007)

highly efficient power transistors; 3) Develop a new generation of vertical power GaN based devices on MOSFET architecture with vertical p-GaN inversion channel for safe power s...

Electrical and electronic engineering

  • 2021 - 2025
  • 13 745 tis. Kč
  • 8 936 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

GaN for Advanced Power Applications (8A21006)

GaN4AP project has the ambitious target of making the GaN-based electronics to become the main power active device present in all power converter systems, with the possibility of developing a close-to-zero energy loss p...

Electrical and electronic engineering

  • 2021 - 2024
  • 7 560 tis. Kč
  • 1 512 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

GaN for Advanced Power Applications (8A21005)

block of this demonstrator will be a new power GaN component connected to a wireless module. This remotely controlled power device will be implemented to IMA platform andIMA will work on the design and development of a rem...

Electrical and electronic engineering

  • 2021 - 2025
  • 9 081 tis. Kč
  • 1 816 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications (9A23004)

O1: Push the limits of industrial GaN devices and system-on-chip approaches for 100V. O2: Leverage the full potential of innovative substrates for GaN. O3: Achieve novel benchmark solutions for lateral GaN devices and integ...

Electrical and electronic engineering

  • 2023 - 2026
  • 40 971 tis. Kč
  • 8 195 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications (9A23005)

O1: Push the limits of industrial GaN devices and system-on-chip approaches for 100V. O2: Leverage the full potential of innovative substrates for GaN. O3: Achieve novel benchmark solutions for lateral GaN devices and integ...

Electrical and electronic engineering

  • 2023 - 2026
  • 7 621 tis. Kč
  • 4 954 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Vysoce účinné regulátory pro vysokootáčkové elektrické stroje (TS02020056)

Cílem projektu je vyvinout vysoce účinný regulátor motorů pro vysokootáčkové průmyslové rotační stroje využívající technologii GaN tranzistorů. Dále je cílem zmenšit počet potřebných obvodových prvků, kdy díky velmi rychlému spínání je možné...

Energy and fuels

  • 2025 - 2027
  • 18 525 tis. Kč
  • 11 111 tis. Kč
  • TA ČR
Projekt

Reliable Powerdown for Industrial Drives (9A23015)

for electric drives, power modules and power devices that can be integrated into power converters. Thereby, electrical and mechanical faults of machines and of the power converters driving them will become predict...

Electrical and electronic engineering

  • 2023 - 2026
  • 29 211 tis. Kč
  • 18 986 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách (GA102/08/0260)

Cílem projektu je na základě studia nízkofrekvenčního šumu přispět ke zvýšení poměru signál/šum submikronových MOSFET a HEMT struktur. Provedeme podrobnou analýzu parametrů 1/f a RTS šumu v závislosti na intenzitě elektrického pole v podélné...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2008 - 2010
  • 1 050 tis. Kč
  • 1 050 tis. Kč
  • GA ČR
Projekt

Reliable Powerdown for Industrial Drives (9A23014)

for electric drives, power modules and power devices that can be integrated into power converters. It will also enable reliable mitigation of dangerous faults in applications using modern power-devices like silico...

Electrical and electronic engineering

  • 2023 - 2026
  • 8 776 tis. Kč
  • 2 194 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Stochastické jevy v polovodičových strukturách MIS a MIM (GA102/09/1920)

Objasnit vztah mezi elektronickým šumem, dobou relaxace nosičů náboje a energetickými hladinami lokalizovaných stavů v izolačních vrstvách pro hradla MOSFETů, v izolačních vrstvách tantalových a niob-oxidových kondensátorů a dále CdTe senzor...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2009 - 2011
  • 2 398 tis. Kč
  • 2 398 tis. Kč
  • GA ČR
  • 1 - 10 z 846