Accelerated development and prototyping of nano-technology-based high-efficiency thin-film silicon solar modules ("Fast Track")

Poskytovatel

Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy

Program

Podpora projektů sedmého rámcového programu Evropského společenství pro výzkum, technologický rozvoj a demonstrace (2007 až 2013) podle zákona č. 171/2007 Sb.

Veřejná soutěž

FP7-NMP-ENERGY-2011

Hlavní účastníci

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

RP - Spolufinancování programu EK

Číslo smlouvy

MSMT-34668/2012-32

Název projektu anglicky

Accelerated development and prototyping of nano-technology-based high-efficiency thin-film silicon solar modules ("Fast Track")

Anotace anglicky

In recent years, the effort in thin-film silicon (TFSi) was made at solving industrialization issues. In 2010, several companies demonstrated 10% stable modules (> 1 m2). The major ?bricks? for efficient production are now in place. Next challenges are linked to the fact that TFSi multi-junction devices, allowing for higher efficiency, are complex devices, in which the substrate geometry and each layer have an impact on the full device. This explains why the first industrializations focused on ?single technology? roads (e.g., Jülich-AMAT or EPFL-Oerlikon approaches). This project focuses at bringing the next-generation technology to the market, using newly developed state-of-the art knowledge to solve the complex puzzle of achieving at the same time strong light in-coupling (high current) and good electrical properties (open-circuit voltage and fill factor). In a unique collaborative effort of the leading EU industries and research institutions in the field, the consortium will go beyond the current technology status by: Introducing novel materials, including multi-phase nanomaterials (such as doped nc-SiOx, high crystallinity nc-Si materials), stable top cell materials, nanoimprinted substrates and novel or adapted transparent conductive oxides; Designing and implementing ideal device structures, taking into account the full interaction of layers in multi-junction devices; Controlling the growth of active layers on textured materials; Working at processes that could allow a further extension of thetechnology such as very high rate nc-Si deposition or multi-step superstrate etching; Transferring processes, including static and dynamic plasma deposition, from the laboratory to pilot scale, with first trials in production lines. The targets of the project is to achieve solar cells with 14% stable efficiency, leading to the demonstration of reliable production size prototypes module at 12% level. Potential cost below 0.5 EUR/Wp should be demonstrated

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Hodnocení výsledků řešení ministerstvo neprovádí, neboť podmínkou podpory je, že uchazeč byl vybrán mezinárodním poskytovatelem v souladu s pravidly příslušného programu. Projekt je hodnocen až po jeho schválení mezinárodním poskytovatelem.

Zahájení řešení

1. 3. 2012

Ukončení řešení

28. 2. 2015

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

4. 3. 2015

Důvěrnost údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Systémové označení dodávky dat

CEP16-MSM-7E-U/01:1

Datum dodání záznamu

6. 10. 2017

Celkové uznané náklady

2 430 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

2 430 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč