WISEGaN - New generation of InGaN layers, quantum wells and wires grown on vicinal GaN substrates for optoelectronics and photovoltaics

Poskytovatel

Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy

Program

Makroregionální spolupráce ve výzkumu, vývoji a inovacích

Veřejná soutěž

—

Hlavní účastníci

Univerzita Karlova / Matematicko-fyzikální fakulta

Druh soutěže

M2 - Mezinárodní spolupráce

Číslo smlouvy

MSMT-31729/2015-1

Název projektu anglicky

WISEGaN - New generation of InGaN layers, quantum wells and wires grown on vicinal GaN substrates for optoelectronics and photovoltaics

Anotace anglicky

InGaN layers, quantum wells and wires are the most important parts of such devices as blue/green LEDs, superluminescent LEDs (SLEDs), laser diodes (LDs), and photovoltaic cells. However, InGaN is very difficult to be grown because of low growth temperature and large lattice mismatch of InN and GaN. These two factors cause formation of many extended defects, as In-fluctuations and misfit dislocations, as well as of point defects: vacancies, interstitials and impurities. In the Project, we are going to develop technology of InGaN epi-structures which will have a high In-content but less microstructural defects compared to the previous generations of this material. The idea of the Project is to use technology of prepatterned GaN substrates with local off-orientations and sequential flow of In-precursor to obtain more uniform InGaN 3-dimensional structures with lower defect concentration. In particular, we will focus on lattice relaxation that takes place when InGaN thickness and In-content are too high. This relaxation will be examined ex-situ and in-situ using advanced methods of X-ray Diffraction and other methods. As a result of the Project, we will get new generations of InGaN layers, quantum wells and wires which will be used for constructing the blue and green emitters (LEDs, SLEDs and LDs) and photovoltaic cells.

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Hodnocení výsledků řešení ministerstvo neprovádí, neboť podmínkou podpory je, že uchazeč byl vybrán mezinárodním poskytovatelem v souladu s pravidly příslušného programu. Projekt je hodnocen až po jeho schválení mezinárodním poskytovatelem.

Zahájení řešení

1. 10. 2015

Ukončení řešení

31. 12. 2018

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

14. 2. 2018

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP19-MSM-8F-U/01:1

Datum dodání záznamu

18. 6. 2019

Celkové uznané náklady

3 480 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

3 480 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč