Inovativní nabíjecí stanice s GaN tranzistory

Název projektu anglicky
Innovative charging station with GaN transistors
Anotace anglicky
The aim of the project is to analyze and synthesize the optimal configuration of a two-stage onboard charger with gallium nitride transistors, currently very promising in terms of efficiency, switching frequency and the possibility of significantly increasing power density (ie limiting the size and weight of the device). and function and design a functional sample for a single-phase network connection and verify the required properties. After optimizing the single-phase prototype, a prototype will be designed and manufactured to test the three-phase cascade connection of the chargers. The cascade control system will be developed and the properties of the resulting prototype will be verified. The output of the project will be two prototypes of the charging station with GaN transistors one-phase and three-phase.

Kategorie VaV
VV - Experimentální vývoj
OECD FORD - hlavní obor
20201 - Electrical and electronic engineering
OECD FORD - vedlejší obor
—
OECD FORD - další vedlejší obor
—
CEP - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika<br>JB - Senzory, čidla, měření a regulace

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP23-MPO-EG-R
Datum dodání záznamu
22. 2. 2024

Podobné projekty(10)