Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”
FI-IM2/131

*Výzkum a vývoj pokročilé křemíkové desky pro sub-mikronové technologie.

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Ministerstvo průmyslu a obchodu

  • Program

    IMPULS

  • Veřejná soutěž

    IMPULS 2 (SMPO200500009)

  • Hlavní účastníci

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    FI-IM2/131

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    *Research and development of advanced silicon wafer for sub-micron technologies.

  • Anotace anglicky

    *The development of advanced silicon wafer technology for production of high-tech integrated circuits with sub-micron detail. In order to reach these goals, we are going to install a new hot zone with diameter 450 mm for Czochralski pulling of silicon single crystals which will reduce the gap between technology level of Czech silicon single crystal manufacturer and world leading producers.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    VV - Experimentální vývoj

  • CEP - hlavní obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - vedlejší obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Vyvinuta technologie výroby pokročilé křemíkové desky (ASiW) průměru 150 mm pro sub-mikronové aplikace. Zhotoveny prototypy ASiW a vzorky desek průměru 200 mm. S pomocí CAD nástrojů (simulace) vyvinut proces růstu krystalů v 18" topné zóně.

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 3. 2005

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2007

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    23. 5. 2007

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP08-MPO-FI-U/02:2

  • Datum dodání záznamu

    1. 4. 2009

Finance

  • Celkové uznané náklady

    11 668 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    3 345 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    8 323 tis. Kč