*Modifikace technologií depozice pasivačních a antireflexních vrstev metodou PECVD pro podmínky vertikalního reaktoru
Veřejná podpora
Poskytovatel
Ministerstvo průmyslu a obchodu
Program
TIP
Veřejná soutěž
TIP 1 (SMPO2009/01)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
FR-TI1/619
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
*Technology Modification for Deposition of Passivation and Antireflective Coatings by the Method of PECVD for the Condition of Vertical Reactor
Anotace anglicky
*Processes for plasma deposition of thin dielectric layers have wide aplication possibilities in the field of semiconductor industry and within the production of crystalline silicon solar cells. Layers deposited by the PECVD process reach high quality ofelectronic properties and high quality of visual appearance. Vertical deposition furnace has several advantages - smaller footprint, more simple manipulation with substrates a better process parameters. Project is also oriented to the reseach and development in the field of PECVD processes exploitation within technologies for production of crystalline silicon solar cells. PECVD processes will be applied for development of solar cells with efficience over 18% and of solar cells for special application.
Vědní obory
Kategorie VaV
AP - Aplikovaný výzkum
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Vývoj technologie nanášené tentkých vrstev SINx, SIOx Ny a A10x na křemíkové substráty pomocí plasmatického výboje za nízkého tlaku a za relativně nízkých teplot do 500 C pro aplikace v polovodičovém a fotovoltaickém průmyslu.
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 7. 2009
Ukončení řešení
30. 6. 2013
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
23. 4. 2013
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Systémové označení dodávky dat
CEP14-MPO-FR-U/02:2
Datum dodání záznamu
17. 7. 2014
Finance
Celkové uznané náklady
48 797 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
24 397 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
24 399 tis. Kč