Spintronické aplikace feromagnetických polovodičových nanostruktur

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 9 (SGA02006GA-ST)

Hlavní účastníci

—

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

102/06/0381

Název projektu anglicky

Spintronic applications of ferromagnetic semiconductor nanostructures

Anotace anglicky

Structures of magnetic semiconductors of A3B5 type, doped with Mn, will be designed, prepared and characterised in the framework of this project proposal. The main target is analysis and optimisation of these structures with respect to the effects important for the functionality of spintronic devices. Effective injection of spin-polarised carriers, their transport and detection by means of spin-dependent tunneling, giant magneto-resistance and interaction of spin-polarised carriers with light are crucial among these effects. The project proposal is based on the co-operation of the device-oriented group in CTU FEE with both technological and theoretical groups in the IOP AS CR. The experience in the structure design and simulation of CTU group andin theMBE epitaxy and spin transport theory of IOP groups will be utilized. The project proposal links up to, and takes advantage of, the results of the current GACR grant project No. 202/04/1519 oriented on the low temperature MBE growth of

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - vedlejší obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - další vedlejší obor

CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10403 - Physical chemistry<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Nízkoteplotní epitaxí z molekulárních svazků byly vytvořeny struktury diod s rezonančním tunelováním (RTD) pro studium chování spinově polarizovaných děr. Jednalo se o struktury na bázi GaAs/AlAs s různým umístěním vrstvy GaMnAs jako zdroje polarizovanýc

Zahájení řešení

1. 1. 2006

Ukončení řešení

31. 12. 2008

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

25. 4. 2008

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP09-GA0-GA-U/02:2

Datum dodání záznamu

22. 10. 2009

Celkové uznané náklady

2 782 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

2 782 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč