Spintronické aplikace feromagnetických polovodičových nanostruktur
Cíle projektu
V rámci projektu budou navrženy, připraveny a charakterizovány struktury s vrstvami magnetických polovodičů typu A3B5, dotovaných Mn. Hlavním cílem návrhu projektu je studium a optimalizace těchto struktur z hlediska jevů podstatných pro funkci spintronických součástek. Jedná se zejména o efektivní injekci spinově polarizovaných nosičů, jejich transport a detekci pomocí jevů spinově závislého tunelování, magnetickým polem řízeného rezonančního tunelování dvojitou bariérou, obří magnetorezistenci a interakci těchto nosičů se zářením. Projekt je založen na úzké spolupráci součástkově a aplikačně orientované pracoviště na ČVUT FEL a technologických a teoretických skupin z FZÚ AV ČR. Při řešení budou zužitkovány zkušenosti s návrhem a simulací polovodičových struktur na FEL, hluboké teoretické poznatky z oblasti feromagnetických polovodičů a zkušenosti s epitaxním růstem vrstev ve FZÚ. Projekt navazuje na výsledky běžícího grantu GAČR No. 202/04/1519 orientovaného na
Klíčová slova
spintronicsferromagneticsAIIIBV semiconductorsmagneto-resistance
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 9 (SGA02006GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
102/06/0381
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Spintronic applications of ferromagnetic semiconductor nanostructures
Anotace anglicky
Structures of magnetic semiconductors of A3B5 type, doped with Mn, will be designed, prepared and characterised in the framework of this project proposal. The main target is analysis and optimisation of these structures with respect to the effects important for the functionality of spintronic devices. Effective injection of spin-polarised carriers, their transport and detection by means of spin-dependent tunneling, giant magneto-resistance and interaction of spin-polarised carriers with light are crucial among these effects. The project proposal is based on the co-operation of the device-oriented group in CTU FEE with both technological and theoretical groups in the IOP AS CR. The experience in the structure design and simulation of CTU group andin theMBE epitaxy and spin transport theory of IOP groups will be utilized. The project proposal links up to, and takes advantage of, the results of the current GACR grant project No. 202/04/1519 oriented on the low temperature MBE growth of
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - další vedlejší obor
CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
10403 - Physical chemistry
20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Nízkoteplotní epitaxí z molekulárních svazků byly vytvořeny struktury diod s rezonančním tunelováním (RTD) pro studium chování spinově polarizovaných děr. Jednalo se o struktury na bázi GaAs/AlAs s různým umístěním vrstvy GaMnAs jako zdroje polarizovanýc
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2006
Ukončení řešení
31. 12. 2008
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
25. 4. 2008
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP09-GA0-GA-U/02:2
Datum dodání záznamu
22. 10. 2009
Finance
Celkové uznané náklady
2 782 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
2 782 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
2 782 tis. Kč
Statní podpora
2 782 tis. Kč
100%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Doba řešení
01. 01. 2006 - 31. 12. 2008