Stochastické jevy v polovodičových strukturách MIS a MIM

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 12 (SGA02009GA-ST)

Hlavní účastníci

—

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

102/09/1920

Název projektu anglicky

Stochastic Phenomena in MIS and MIM Semiconductor Structures

Anotace anglicky

The aim of this project is to clarify relation among electronic noise, charge carrier relaxation time, and localized state energy levels in CdTe nuclear radiation sensors, gate insulating layers of MOSFETs and tantalum and niobium capacitors. Long relaxation time constant is observed in above mentioned amorphous and crystalline materials which can not be satisfactorily explained on the basis of Shockley-Read model. In our opinion, the existence of shallow and deep localized states is responsible for these long relaxation constants due to which the carrier exchange is realized among three reservoirs at least. The kinetics of charge carriers in thermodynamic non-equilibrium state will be described on the basis of the Kolmogorow differential equation.  The absolute probabilities of reservoir occupation and carrier relaxation constants will be determined. In a strong electric field the transport of ions in amorphous structures is possible. To make this effect clear it will be investigated even in crystalline CdTe samples. The transition from amorphous to crystalline structure is possible in amorphous Ta2O5 and Nb2O5 layers in a strong electric field and under elevated temperatures. This effect will be analyzed in details because it causes capacitor parameter degradation and influences considerably the reliability of these electronic components.

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - další vedlejší obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Řešení projektu proběhlo výtečně, jak z hlediska odborného tak i z hlediska čerpání finančních prostředků.

Zahájení řešení

1. 1. 2009

Ukončení řešení

31. 12. 2011

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

16. 4. 2011

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP12-GA0-GA-U/02:2

Datum dodání záznamu

2. 5. 2016

Celkové uznané náklady

2 398 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

2 398 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč