Příprava a aplikace epitaxních vrstev nitridů 3. podskupiny pro optické vlnovodné struktury se zaměřením na senzorové aplikace

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 1 (SGA02002GA-ST)

Hlavní účastníci

Vysoká škola chemicko-technologická v Praze / Fakulta chemické technologie

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Preparation and application of the AIII-nitride epitaxial layers for optical wavequides and sensor structures distillation columns design

Anotace anglicky

The study of the epitaxial layers of the AIII-nitride semiconducting materials with a direct energy band gap greater than 2,5eV has a extraordinary importance with regard to the basic investigation in thermodynamics and kinetics growth process as well asto their large scale utilization in optoelectronic devices. The aim of this project is to provide for establishment of the laboratory for the preparation and characterization of the AIII-nitride epitaxial structures and optical planar waveguides. Epitaxial AIII-nitride layers on the sapphire and silicon substrates will be prepared by the MOVPE in horizontal coldwall reactor of own design and construction, using matalorganic compounds as trimethylgallium (TMG), trimethylaluminium (TMA) and ammoniaSuitable deposition conditions will be predicted on the basis of thermodynamic and kinetic calculations. Preparation, characterization and utilization of the AIII-nitride optical planar waveguides for optical sensor applications will be follow. The

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - vedlejší obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

V rámci projektu bylo vybudováno zařízení na přípravu epitaxních vrstev a struktur polovodivých materiálů technologií MOVPE. Na tomto zařízení je kromě jiného možné připravovat jednoduché planární vlnovody na bázi GaN. Metodou PACVD byly připraveny a cha

Zahájení řešení

1. 1. 2000

Ukončení řešení

1. 1. 2002

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/2003/GA0/GA03GA/U/N/9:7

Datum dodání záznamu

19. 5. 2008

Celkové uznané náklady

3 069 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

2 147 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

1 262 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč