Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 2 (SGA02003GA-ST)

Hlavní účastníci

Vysoká škola chemicko-technologická v Praze / Fakulta chemické technologie

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Chemical aspects of thin layer deposition of the AIII-nitrides in relation to electronic applications

Anotace anglicky

AIII-nitrides have been shown to be of both fundamental and practical interest. Applications in electronics cover light-emitting diodes, lasers, transistors, photodetectors, planar waveguides as well as hig-temperature electronic devices. Metal OrganicVapour Phase Epitaxy (MOVPE) has became the leading technology for preparation of epitaxial layers and structures ot these materials during the last decade. However some serious problems exist in the MOVPE. Lack of the substrate materials lattice-matchedtoAIII-nitrides, different thermal stabilities of AIII-nitrides, different incorporation efficiencies in ternary a quaternary solid solutions growth as well as solid phase immiscibility in In-containing materials are the principal ones. One of the goalofthis project is the preparation of ternary and quaternary solid solutions of AIII-nitrides by the MOVPE. Composition of these solutions will be investigated experimentaly and correlated with the calculated ones on the basis of the local thermodynamic

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - vedlejší obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

V průběhu řešení byly byly změřeny tepelné kapacity GaN (320-570 K) a  InN (305-390 K) a relativní entalpie GaN (670-1270 K) a InN (427-774 K). Byly vypočteny hodnoty standardních molárních entropií GaN a InN při teplotě 298,15 K. Na základě teoretických

Zahájení řešení

1. 1. 2003

Ukončení řešení

1. 1. 2005

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP06-GA0-GA-U/07:6

Datum dodání záznamu

15. 1. 2009

Celkové uznané náklady

1 811 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 811 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč