Zobecněné prvky vyšších řádů

Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 18 (SGA0201400001)
Hlavní účastníci
Vysoké učení technické v Brně / Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
14-19865S

Název projektu anglicky
Generalized higher-order elements
Anotace anglicky
In 1971, the memristor was introduced into the circuit theory, and the discovery of a solid-state device with memristor behavior in the Hewlett-Packard laboratories was announced in 2008. The memristor is considered a key memory element for the future computer industry. It is also one of the so-called higher-order elements (HOEs) which are organized in Chua´s periodical table. From this table, only the resistor, capacitor, inductor, and their “memory-versions” – memristor, memcapacitor, and meminductor – have hitherto been given names. A strong application potential of the HOEs is responsible for the increasing number of theoretical works being produced in assorted areas, for example in biological systems, nanotechnologies, and artificial intelligence. The substance of the project consists in researching into the fundamental regularities and principles occurring in systems which contain the HOEs. The final aim is to unfold the regularities to a degree that enables a full-scale inclusion of these circuit elements in the existing system of fundamental elements in the circuit theory.

Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
—
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Projekt přinesl řadu nových poznatků v oblasti teoretického studia memristivních prvků a vytváření jejich modelů, z nichž za nejvýznamnější lze považovat koncept “Fading memory” TiO2 memristoru. Navržené modely lze efektivně aplikovat při simulaci komplexních memristivních sítí. Vynikající výsledky byly publikovány v 18 časopisech Jimp s IF až 3.7 a v 14 konferenčních článcích typu D.

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP17-GA0-GA-U/03:1
Datum dodání záznamu
28. 6. 2017

Podobné projekty(10)