Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Rychlé tenkovrstvé scintilátory pro 2D-zobrazování s vysokým rozlišením

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    Standardní projekty 20 (SGA0201600001)

  • Hlavní účastníci

    České vysoké učení technické v Praze / Fakulta biomedicínského inženýrství<br>Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.<br>Univerzita Karlova / Matematicko-fyzikální fakulta

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    16-15569S

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Fast thin film scintillators for high resolution 2D-imaging

  • Anotace anglicky

    Single crystalline multicomponent garnet layers and nitride MQW nanostructures prepared by LPE and MOVPE technologies, respectively, will be prepared. Their luminescence and scintillation characteristics will be studied focusing on the energy levels position in the host forbidden gap. The role of defects and traps involved in the energy transfer and storage processes will be examined. Both material groups will be mutually quantitatively compared for their potential in fast 2D-imaging applications. We apply the “band gap engineering” strategy to inactivate shallow charge carrier traps. Another acceleration of scintillation response will be made by stabilization of the Cerium or Praseodymium dopant in tetravalent charge state. Interconnection between material point defects and technological method used will be of special attention. Nitride nanostructures will be optimized by tuning In concentration, a single GaInN quantum well thickness and their number, and aliovalent doping to achieve maximum acceleration of scintillation response and suppression of unwanted slow yellow emission

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - vedlejší obor

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Cíle tohoto projektu - příprava vícenásobně dopovaného hliníku, nanostruktury MQW, informace o struktuře, složení, optických a fotoluminiscenčních vlastnostech, modifikace zařízení pro růst LPE, přizpůsobení růstu GaN / GaInN MQW. Všechny cíle byly splněny, celkem bylo publikováno 41 příspěvků v impaktovaných časopisech a více než 20 konferenčních příspěvků.

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2016

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2018

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    25. 5. 2018

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP19-GA0-GA-U/01:1

  • Datum dodání záznamu

    12. 6. 2019

Finance

  • Celkové uznané náklady

    9 976 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    9 166 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    810 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč